Субмикронные частицы Cr-замещённого стронциевого гексаферрита: исследования аномальной рентгеновской дифракцией, твёрдые магнитные свойства и поглощение миллиметровых волн
Проблема
На сегодняшний день только три соединения считаются твёрдыми магнитными изоляторами: кобальтовый феррит (), эпсилон оксид железа(III) () и М-типа гексаферриты (, ). Благодаря большой магнитокристаллической анизотропии они могут обеспечивать довольно высокую коэрцитивную силу и естественный ферромагнитный резонанс (ЕФМР) в миллиметровом диапазоне (30–300 ГГц). Эти функциональные свойства востребованы во многих областях применения, от магнитной записи до спинтроники.
Наиболее эффективный способ увеличения поля анизотропии (где — константа магнитокристаллической анизотропии, — плотность, — удельная намагниченность насыщения) — уменьшение намагниченности насыщения путём замещения ионов диамагнитными ионами. Наиболее выдающиеся результаты были достигнуты для частичного замещения , что привело к более чем пятикратному увеличению коэрцитивной силы и частот ЕФМР до 36 кЭ и 250 ГГц соответственно.
Замещение хромом не было достаточно изучено из-за трудностей получения однофазных материалов. На сегодняшний день однодоменные частицы Cr-замещённых гексаферритов с широким диапазоном составов не были описаны, а их магнитные свойства и поглощение миллиметровых волн не были систематически исследованы.
Методы/Идеи
Впервые авторы получили субмикронные частицы однофазных гексаферритов с химическим составом () посредством оптимизированного метода цитрат-нитратного автогорения.
Синтез:
- Высокочистые реактивы: карбонат стронция, нитрат железа(III) нонагидрат, нитрат хрома(III) нонагидрат, лимонная кислота
- Цитратный метод с молярным соотношением 1:3 между ионами металлов и цитратом
- Раствор нейтрализовали водным аммиаком и обезвоживали
- Продукт самопроизвольно воспламенился, образуя пористый прекурсор
- Прекурсор отжигали при 1200 °C в течение 2 ч на воздухе
Характеризация:
- Аномальная рентгеновская дифракция (AXRD) на синхротроне SLS (лучевая линия X04SA-MS) вблизи K-края Cr для определения распределения Cr по позициям железа
- РСА (Rigaku D-Max 2500) для фазового анализа и параметров решётки
- СЭМ для морфологии и распределения частиц по размерам
- SQUID магнитометрия (MPMS XL) для магнитных свойств и температуры Кюри
- ТГц спектроскопия во временной области для спектров ЕФМР (300 K, нулевое магнитное поле)
- Мёссбауэровская спектроскопия для анализа сверхтонких полей
Результаты
Анализ кристаллической структуры
Результаты аномальной РСА:
- Ионы Cr преимущественно занимают октаэдрические позиции: 2a, 12k и 4f2
- Тригонально-бипирамидальные позиции 2b и тетраэдрические 4f1 лишь слабо затронуты
- Объём элементарной ячейки уменьшается с содержанием Cr (скорость: -2,80 ų на ион Cr)
- Параметры решётки линейно изменяются с x
Параметры решётки:
| x (Cr) | (Å) | (Å) | Объём (ų) |
|---|---|---|---|
| 0 | 5,8850 | 23,050 | 690,5 |
| 2 | 5,8780 | 23,020 | 685,0 |
| 4 | 5,8710 | 22,990 | 679,5 |
| 5,5 | 5,8660 | 22,970 | 675,5 |
| 6 | 5,8640 | 22,960 | 674,0 |
Мёссбауэровская спектроскопия
- Средние сверхтонкие поля уменьшаются с увеличением содержания хрома
- Cr ведёт себя как диамагнитная примесь, несмотря на наличие неспаренных электронов
- Сложные суперобменные взаимодействия приводят к слабым положительным К
- Квадрупольный сдвиг уменьшается с x, указывая на увеличение симметрии кристаллического поля
Морфология частиц
СЭМ анализ:
- Все образцы содержат однофазный М-типа гексаферрит
- Частицы имеют пластинчатую морфологию
- Средний диаметр частиц: 430–1400 нм в зависимости от состава
| x (Cr) | Средний диаметр (нм) | Критический диаметр (нм) |
|---|---|---|
| 0 | 1400 ± 600 | 500 |
| 1 | 590 ± 210 | 700 |
| 2 | 610 ± 220 | 1100 |
| 3 | 570 ± 190 | 1600 |
| 4 | 520 ± 190 | 3000 |
| 5 | 430 ± 150 | 6600 |
| 5,5 | 510 ± 180 | 7600 |
| 6 | 490 ± 170 | 10400 |
- Введение Cr значительно увеличивает критический размер домена
- Для частицы находятся в однодоменном состоянии
Магнитные свойства
Зависимость намагниченности от температуры:
- Температура Кюри линейно уменьшается с содержанием Cr
- От 740 K () до 257 K ()
- Образец с ( K) демонстрирует поведение, близкое к суперпарамагнитному
Характеристики петель гистерезиса (300 K):
| x (Cr) | (K) | (эмю/г) | (эмю/г) | (кЭ) | |
|---|---|---|---|---|---|
| 0 | 740 | 70,0 | 35,2 | 4,4 | 0,50 |
| 1 | 667 | 61,3 | 30,3 | 7,2 | 0,50 |
| 2 | 622 | 45,0 | 24,3 | 7,7 | 0,49 |
| 3 | 574 | 35,6 | 17,8 | 9,3 | 0,54 |
| 4 | 519 | 24,8 | 12,6 | 10,9 | 0,50 |
| 5 | 459 | 14,7 | 7,3 | 13,5 | 0,51 |
| 5,5 | 429 | 13,4 | 6,6 | 13,9 | 0,49 |
| 6 | 391 | 10,0 | 2,0 | 13,1 | 0,47 |
| 7 | 314 | 3,5 | 0,6 | 0,7 | 0,17 |
| 8 | 257 | 1,2 | 0 | 0 | — |
Ключевые наблюдения:
- Коэрцитивная сила увеличивается с 4,4 кЭ () до максимума 13,9 кЭ ()
- Для коэрцитивная сила падает из-за приближения к температуре измерения
- для однодоменных образцов (поведение Стонера–Вольфарта)
Поглощение миллиметровых волн (ЕФМР)
Частоты и параметры ФМР:
| x (Cr) | (ГГц) | FWHM (ГГц) | |
|---|---|---|---|
| 0 | 51 | 8,4 | — |
| 1 | 59 | 7,7 | — |
| 2 | 71 | 6,6 | — |
| 3 | 85 | 5,7 | — |
| 4 | 104 | 5,0 | — |
| 5 | 121 | 4,7 | — |
| 5,5 | 129 | 4,5 | — |
| 6 | 125 | 9,0 | — |
Ключевые выводы:
- Частота ЕФМР увеличивается с 51 ГГц () до 129 ГГц ()
- Фактор затухания уменьшается с x (необычное поведение)
- Для чёткого резонанса нет из-за близости к
Поле анизотропии и магнитокристаллическая анизотропия
Рассчитанные параметры:
| x (Cr) | (г/см³) | (Мэрг/см³) | (кЭ) |
|---|---|---|---|
| 0 | 5,10 | 3,26 | 18,2 |
| 1 | 5,10 | 3,29 | 21,0 |
| 2 | 5,10 | 2,94 | 25,5 |
| 3 | 5,10 | 2,77 | 30,4 |
| 4 | 5,10 | 2,35 | 37,0 |
| 5 | 5,10 | 1,63 | 43,3 |
| 5,5 | 5,11 | 1,59 | 46,2 |
| 6 | 5,11 | 1,01 | 44,6 |
Механизм:
- уменьшается с содержанием Cr
- уменьшается быстрее, чем
- Поле анизотропии увеличивается
- Максимум при коррелирует с максимумом и
Сравнительный анализ: замещение Al, Ga и Cr
Сравнение при оптимальных уровнях замещения:
| Ион | Оптимальный x | (кЭ) | (ГГц) | Ионный радиус (Å) |
|---|---|---|---|---|
| Al³⁺ | 5,5 | 36 | 250 | 0,535 |
| Cr³⁺ | 5,5 | 13,9 | 129 | 0,615 |
| Ga³⁺ | 4 | 6,4 | 56 | 0,620 |
Ключевые различия:
- Al³⁺: Наиболее эффективен благодаря малому ионному радиусу и занятию позиций 2a и 12k (некомпенсированные спины)
- Cr³⁺: Занимает 2a, 12k и 4f2; умеренное улучшение, но более узкие линии ФМР
- Ga³⁺: Преимущественно занимает 4f1, 2a, 12k; наименьшее улучшение
Преимущества замещения Cr:
- Меньшая дисторсия решётки (разница размеров Fe–Cr только 5% против 17% для Fe–Al)
- Более узкие линии поглощения ФМР (лучше для применений ниже 130 ГГц)
- Легче получить монокристаллы и эпитаксиальные плёнки с высоким замещением
- Оксид Cr не усиливает стабильность стекла, облегчая включение при кристаллизации стекла
Оценка постоянного спинового тока
- Гексаферриты могут генерировать чистые спиновые токи посредством ЕФМР
- Значения до двух порядков выше, чем у антиферромагнитного
- Для Cr-серии: значительный для (частоты 50–130 ГГц)
- Перспективно для суб-ТГц спинтронных устройств
Выводы
Исследование демонстрирует первое систематическое исследование однодоменных хром-замещённых частиц гексаферрита:
Успешный синтез однофазных субмикронных частиц () методом цитрат-нитратного автогорения
Аномальная РСА показала, что Cr преимущественно занимает октаэдрические позиции 2a, 12k и 4f2
Улучшенные твёрдые магнитные свойства:
- Коэрцитивная сила: 4,4 → 13,9 кЭ (при )
- Частота ЕФМР: 51 → 129 ГГц (при )
- Поле анизотропии: 18,2 → 46,2 кЭ (при )
Механизм: Cr ведёт себя как диамагнитная примесь; уменьшается быстрее, чем , что приводит к увеличению
Сравнение с Al и Ga:
- Al: наивысшие и (36 кЭ, 250 ГГц)
- Cr: умеренное улучшение с более узкими линиями ФМР
- Ga: наименьшее улучшение
Применения:
- Постоянные магниты без редкоземельных элементов
- Суб-терагерцовая спинтроника
- Беспроводная связь следующего поколения (6G)
- Текстурированная керамика, монокристаллы, эпитаксиальные плёнки
Технологические преимущества Cr:
- Меньшая дисторсия решётки
- Легче рост монокристаллов
- Лучше подходит для метода стеклокерамики
Хром-замещённые гексаферриты предлагают эффективный путь улучшения твёрдых магнитных свойств и высокочастотных характеристик, дополняя замещения Al и Ga для различных технологических применений.